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新系统专为生长直径 150 mm 的 SiC 晶碇而设计

CVD Equipment公司推出了PVT150，这是一种用于SiC晶碇生长的物理蒸汽传输（PVT）系统。PVT150型号据称是一种紧凑的平台设计，专门用于生长直径为150毫米的晶碇，可升级到200毫米（PVT200）。该公司计划在 2023年第三季度推出其 PVT200。

PVT150 /PVT200 是具有射频感应加热、过程控制的生产系统，可在2500℃时稳定温度+/-0.5℃，压力为设定点的+/-1%。据该公司称，在晶体生长过程中，通过远程控制箱对坩埚进行实时监控的自动工艺室加载和卸载、配方启动、坩埚台旋转和电动高温计对准，是推动效率的许多系统功能中的一部分。具有轴向垂直移动的自动可定位线圈允许进行热梯度控制，以优化碳化硅晶球的生长。

“我们的PVT产品系列为所有工艺参数提供无与伦比的精度和可靠的控制。这允许高产量运行以重复生产，以及系统间匹配。CVD Equipment的产品组合包括整套配置系统以及定制解决方案，以适应不同的坩埚设计。“我们扩大了的内部垂直生产能力，使交货时间短至6个月。”CVD Equipment公司总裁兼首席执行官Emmanuel Lakios说。

CVD Equipment公司最近扩建了其位于纽约州Central Islip的美国制造工厂（135,000平方英尺），提高了高质量、高性能 PVT 系统的生产能力。

来源：雅时化合物半导体